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IRF7468PbF
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T J = 25 ° C
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20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
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V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
2.0
I D = 10A
T J = 150 ° C
1.5
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T J = 25 ° C
1.0
1
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V DS = 15V
0.1
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2.4
2.8
20μs PULSE WIDTH
3.2
3.6
0.0
-60 -40 -20
0
20
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V GS = 4.5V
80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( C)
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
°
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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IRF7469PBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 17mOhms 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IRF7470 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A)